Yeni Malzemeler: Galyum Nitrür (GaN) ve Silikon Karbür

Yeni Malzemeler: Galyum Nitrür (GaN) ve Silikon Karbür

Geleneksel silikon malzeme, yüksek voltaj, yüksek sıcaklık ve yüksek frekans uygulamalarında fiziksel limitlerine ulaşmıştır. Bu engeli aşmak için "Geniş Bant Aralıklı" (Wide Bandgap) yarı iletken malzemeler olan Galyum Nitrür (GaN) ve Silikon Karbür (SiC) geliştirilmiştir. GaN teknolojisi, elektrikli araç şarj cihazlarının çok daha küçük boyutlarda ve yüksek verimlilikle çalışmasını sağlar. SiC ise elektrikli araçların motor sürücülerinde enerji kayıplarını azaltarak menzili uzatır. Yeni malzemeler güç elektroniğini dönüştürmektedir.