Yeni Malzemeler: Galyum Nitrür (GaN) ve Silikon Karbür
Yeni Malzemeler: Galyum Nitrür (GaN) ve Silikon Karbür
Geleneksel silikon malzeme, yüksek voltaj, yüksek sıcaklık ve yüksek frekans uygulamalarında fiziksel limitlerine ulaşmıştır. Bu engeli aşmak için "Geniş Bant Aralıklı" (Wide Bandgap) yarı iletken malzemeler olan Galyum Nitrür (GaN) ve Silikon Karbür (SiC) geliştirilmiştir. GaN teknolojisi, elektrikli araç şarj cihazlarının çok daha küçük boyutlarda ve yüksek verimlilikle çalışmasını sağlar. SiC ise elektrikli araçların motor sürücülerinde enerji kayıplarını azaltarak menzili uzatır. Yeni malzemeler güç elektroniğini dönüştürmektedir.
Çevrimiçi Şehrindeki Etkinlikler
TÜBİTAK Kutup Araştırmaları 2027 Yılı Çağrıları Proje Geliştirme ve Mentörlük Günleri
13 Temmuz 2027 | Çevrimiçi
Ekosistem Bilgisi
Yeni Malzemeler: Galyum Nitrür (GaN) ve Silikon Karbür
Ekosistem Türü
Nanoteknoloji
Şehir
Çevrimiçi
Benzer Ekosistem Üyeleri
Aynı kategoride yer alan diğer kuruluşlar